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保迪增浩国际贸易有限公司
上海SiC碳化硅MOSFET，国产碳化硅SiC MOSFET，碳化硅SiC MOSFET国产替代，储能变流...
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专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块，BASiC基本半导体单管IGBT，BASiC基本半导体IGBT模块，BASiC基本半导体三电平IGBT模块，BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器，双向AC-DC电源，户用光伏逆变器，户用光储一体机，储能变流器，储能PCS,双向LLC电源模块，储能PCS-Buck-Boost电路，光储一体机,PCS双向变流器，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。 专业分销基本半导体全碳化硅MOSFET模块，Easy封装全碳化硅MOSFET模块，62mm封装全碳化硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于超级充电桩，V2G充电桩，高压柔性直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车辅助电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器等. 光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，光储碳化硅MOSFET。 基本半导体再度亮相全球最大功率半导体展会——PCIM Europe 2023，在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。 基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，基本半导体还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件，以更好地满足客户需求。 基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点 更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。 更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。 更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。 更高工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。 基本半导体第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M035120YP，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。适用大功率电力电子装置的SiC MOSFET模块，半桥SiC MOSFET模块，ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，T型三电平模块，MPPT BOOST SiC MOSFET模块。 B2M030120Z国产替代英飞凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。 B2M0242000Z国产替代英飞凌IMYH200R024M1H。 B2M035120YP，B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。 B2M020120Z国产替代英飞凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。 B2M1000170R国产代替英飞凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。 B2M065120H国产代替安森美NTHL070N120M3S。 B2M065120Z国产代替英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A NPC（Neutral Point Clamped）三电平拓扑结构是一种应用为广泛的多电平拓扑结构。近年来随着电力电子技术在电力行业的发展，NPC三电平技术开始越来越多的应用到各个领域，包括光伏逆变器、风电变流器、高压变频器、UPS、APF/SVG、高频电源等都有着广泛的应用。NPC拓扑常用的有两种结构，就是我们常说的“I”字型（也称NPC1）和“T”字型（也称NPC2、MNPC、TNPC、NPP等）。另外ANPC也是一种NPC1的改进型，这些年随着器件的发展，ANPC也开始有一些适合的应用。 在分时电价完善、峰谷电价差拉大、限电事件频发等多重因素驱动下，工商业储能的经济性明显提升。工商业储能是用户侧储能系统的主要类型之一，可以大化提升光伏自发自用率，降低工商业业主的电费开支，助力企业节能减排。 工商业储能装机有望在政策鼓励、限电刺激、电价改革等利好因素刺激下进入高速增长期，复合增速有望持续飙升。
公司档案
公司名称：
保迪增浩国际贸易有限公司
公司类型：
企业单位 ()
所 在 地：
上海
公司规模：
注册资本：
未填写
注册年份：
2012
资料认证：
保 证 金：
已缴纳
0.00
元
经营范围：
上海SiC碳化硅MOSFET，国产碳化硅SiC MOSFET，碳化硅SiC MOSFET国产替代，储能变流器PCS三电平碳化硅SiC MOSFET模块，T型三电平碳化硅模块，ANPC三电平碳化硅模块，国产碳化硅SiC MOSFET,国产替代，光伏MPPT碳化硅SiC MOSFET,OBC碳化硅SiC MOSFET,充电桩电源碳化硅SiC MOSFET，充电桩电源碳化硅SiC MOSFET模块，隔离驱动IC，62mm碳化硅SiC MOSFET模块,半桥碳化硅SiC MOSFET模块，SOT227碳化硅SiC
销售的产品：
上海SiC碳化硅MOSFET，国产碳化硅SiC MOSFET，碳化硅SiC MOSFET国产替代，储能变流器PCS三电平碳化硅SiC MOSFET模块，T型三电平碳化硅模块，ANPC三电平碳化硅模块，国产碳化硅SiC MOSFET,国产替代，光伏MPPT碳化硅SiC MOSFET,OBC碳化硅SiC MOSFET,充电桩电源碳化硅SiC MOSFET，充电桩电源碳化硅SiC MOSFET模块，隔离驱动IC，62mm碳化硅SiC MOSFET模块,半桥碳化硅SiC MOSFET模块，SOT227碳化硅SiC
采购的产品：
上海SiC碳化硅MOSFET，国产碳化硅SiC MOSFET，碳化硅SiC MOSFET国产替代，储能变流器PCS三电平碳化硅SiC MOSFET模块，T型三电平碳化硅模块，ANPC三电平碳化硅模块，国产碳化硅SiC MOSFET,国产替代，光伏MPPT碳化硅SiC MOSFET,OBC碳化硅SiC MOSFET,充电桩电源碳化硅SiC MOSFET，充电桩电源碳化硅SiC MOSFET模块，隔离驱动IC，62mm碳化硅SiC MOSFET模块,半桥碳化硅SiC MOSFET模块，SOT227碳化硅SiC
主营行业：
电子网
©2024 保迪增浩国际贸易有限公司 http://sicmos688.b2b.bq.cm/ 版权所有 技术支持：
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公司经营地址：上海市静安区南京西路1515号一座3106室
保迪增浩国际贸易有限公司主营产品:上海SiC碳化硅MOSFET，国产碳化硅SiC MOSFET，碳化硅SiC MOSFET国产替代，储能变流...
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专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块，BASiC基本半导体单管IGBT，BASiC基本半导体IGBT模块，BASiC基本半导体三电平IGBT模块，BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器，双向AC-DC电源，户用光伏逆变器，户用光储一体机，储能变流器，储能PCS,双向LLC电源模块，储能PCS-Buck-Boost电路，光储一体机,PCS双向变流器，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。
专业分销基本半导体全碳化硅MOSFET模块，Easy封装全碳化硅MOSFET模块，62mm封装全碳化硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于超级充电桩，V2G充电桩，高压柔性直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车辅助电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器等. 光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，光储碳化硅MOSFET。
基本半导体再度亮相全球最大功率半导体展会——PCIM Europe 2023，在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。
基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，基本半导体还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件，以更好地满足客户需求。
基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点
更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。
更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。
更高工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。
基本半导体第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M035120YP，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。适用大功率电力电子装置的SiC MOSFET模块，半桥SiC MOSFET模块，ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，T型三电平模块，MPPT BOOST SiC MOSFET模块。
B2M030120Z国产替代英飞凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z国产替代英飞凌IMYH200R024M1H。
B2M035120YP，B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
B2M020120Z国产替代英飞凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R国产代替英飞凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H国产代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z国产代替英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A
NPC（Neutral Point Clamped）三电平拓扑结构是一种应用为广泛的多电平拓扑结构。近年来随着电力电子技术在电力行业的发展，NPC三电平技术开始越来越多的应用到各个领域，包括光伏逆变器、风电变流器、高压变频器、UPS、APF/SVG、高频电源等都有着广泛的应用。NPC拓扑常用的有两种结构，就是我们常说的“I”字型（也称NPC1）和“T”字型（也称NPC2、MNPC、TNPC、NPP等）。另外ANPC也是一种NPC1的改进型，这些年随着器件的发展，ANPC也开始有一些适合的应用。
在分时电价完善、峰谷电价差拉大、限电事件频发等多重因素驱动下，工商业储能的经济性明显提升。工商业储能是用户侧储能系统的主要类型之一，可以大化提升光伏自发自用率，降低工商业业主的电费开支，助力企业节能减排。
工商业储能装机有望在政策鼓励、限电刺激、电价改革等利好因素刺激下进入高速增长期，复合增速有望持续飙升。